Программа спецкурса «ОБРАЗОВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ И СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ МАГНИТНЫХ И СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ» (8 семестр, 32 часа, зачет) I. Общие представления о теории роста и практике получения кристаллов. История. Современное состояние. II. Рост кристаллов как фазовый переход. 1. Основные термодинамические понятия. Равновесие фаз. Правило фаз Гиббса. 2. Однокомпонентные системы. 3. Двухкомпонентные системы. Типы ТХ-диаграмм. 4. Ход кристаллизации. Способы построения фазовых диаграмм. 5. Трехкомпонентные системы. Методы построения и изучения. III. Механизм и кинетика кристаллизации.. 1. Образование кристаллических зародышей. Равновесие фаз с учетом поверхностной энергии. 2. Основные представления о росте идеального кристалла. Атомная структура поверхности. Адсорбционный слой. Шероховатость ступени и поверхности. Роль «изломов» в процессе роста кристаллов. Нормальный и тангенциальный рост кристалла. 3. Дислокационный механизм роста реального кристалла. 4. Равновесная форма роста кристалла. 5. Влияние примесей на процесс роста. IV. Современные методы получения магнитных и сегнетоэлектрических материалов. 1. Выращивание из низкотемпературных растворов. 2. Гидротермальный метод выращивания. 3. Выращивание из растворов в расплавах. 4. Кристаллизация из расплава. Методы Чохральского, Киропулоса, Стогбаргера. 5. Получение тонких пленок методом лазерного распыления. 6. Получение наноструктур. Литература 1. Шульце Г. Металлофизика. - М.: Мир. 1971. Гл.4. 2. Гуляев А.П. Металловедение. - М.: Металлургия. 1977. Гл.5. 3. Современная кристаллография. Том 3: Образование кристаллов. - М.: Наука. 1980. 4. Шаскольская М.П. Кристаллография. - М.: Высшая школа. 1976. 5. Handbook of Crystal Growth, Edit D.T.J. Hurle, Elsevier Sei, 1993/94. Автор программы старший научный сотрудник М.М.Лукина